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参数目录38803
> SI1069X-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 940MA SC89-6
型号:
SI1069X-T1-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET P-CH 20V 940MA SC89-6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI1069X-T1-E3 PDF
标准包装
3,000
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
-
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
184 毫欧 @ 940mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
6.86nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
308pF @ 10V
功率 - 最大
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商设备封装
SC-89-6
包装
带卷 (TR)
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